Интернет магазин китайских планшетных компьютеров

Компьютеры - Память с изменением фазового состояния - 2000 и после

В августе 2004 года, компания Nanochip лицензировала технологию PRAM для использования в устройствах хранения на основе МЭМС-электродов. Эти устройства не являются твердотельными. Напротив, довольно небольшая пластина, покрытая халькогенидом, помещается между множеством электродов, которые могут считывать или записывать на халькогенид. Технология микропереноса корпорации Hewlett-Packard позволяет позиционировать пластину с точностью до 3 нанометров, за счет чего становится возможной плотность более 1 терабита на квадратный дюйм, если технология будет усовершенствована. Основная идея заключается в уменьшении количества соединений, распаиваемых на чипе; вместо соединений для каждой ячейки, ячейки помещаются ближе друг к другу, и считываются зарядом, проходящим через МЭМС-электроды, которые и выступают в роли соединений. Подобное решение несет в себе идею, схожую с технологией Millipede корпорации IBM.

В сентябре 2006 года корпорация Samsung анонсировала прототип 512 мегабитного устройства, использующего в своей основе переключающий диод. Подобный анонс был довольно неожиданным, а повышенное внимание он привлек благодаря прозрачной высокой плотности. Размер ячеек прототипа составлял лишь 46.7 нм, что было менее, чем у коммерческих флеш-устройств, доступных на тот момент. Хотя и были доступны флеш-устройства с более высокой емкостью, остальные технологии, соревнующиеся в стремлении заменить флеш-технологию, обладали более низкой плотностью. Например, при производстве MRAM- и FRAM-памяти удалось достичь 4 Мбит. Высокая плотность прототипов PRAM-памяти от Samsung предполагала гарантированную жизнь как конкурента флеш-памяти, не ограничиваясь нишевой ролью как другие технологии. PRAM выглядит чрезвычайно привлекательно в качестве потенциальной замены для флеш-памяти типа NOR, у которой емкость устройства обычно отставала от емкости флеш-памяти типа NAND. Флеш-память типа NOR предлагает схожую плотность с показателями PRAM-прототипов от Samsung, причем уже предлагает битовую адресуемость.

После анонса от Samsung последовало совместное заявление от Intel и STMicroelectronics, продемонстрировавших собственные PCM-устройства в рамках Intel Developer Forum, проходившего в октябре 2006 года. Они показали 128 Мбитный образец, которые недавно начали производиться на исследовательской фабрике STMicroelectronics в Аграте, Италия. Intel утверждала, что устройства были лишь демонстрационными экземплярами, но они ожидали начала производства готовых образцов в течение нескольких месяцев, а в течение нескольких лет - и широкое коммерческое производство. Intel судя по их заявлениям нацеливала свои PCM-продукты на ту же область рынка, что и Samsung.

PCM - весьма многообещающая технология с точки зрения военной и аэрокосмической областей, где радиация делает бессмысленным использование стандартной энергонезависимой памяти как, например, флеш-память. PCM-устройства были представлены военной корпорацией BAE Systems, получившие название C-RAM, причем было заявлено о великолепной стойкости к радиационному излучению и неподверженности к latchup-эффекту. Более того, BAE заявляла о выдерживании порядка 10 циклов записи, что делает эту разработку претендентом на замену PROM- и EEPROM-чипов в космических системах.

В феврале 2008 года инженеры Intel совместно с STMicroelectronics продемонстрировали первый прототип многоуровневого PCM-массива. Прототип мог хранить два логических бита на физическую ячейку, то есть, 256 Мбит эффективной памяти хранились в 128 Мбит физической. Это означает, что вместо обычных двух состояний - полностью аморфное или полностью кристаллическое — добавляются ещё два дополнительных промежуточных состояния, представляющих различные степени частичной кристаллизации, позволяя дважды сохранять массивы битов в одной физической области на чипе.

Также в феврале 2008 года Intel и STMicroelectronics начали поставки прототипных образцов их первого PCM-продукта, доступного заказчикам. Продукт, выполненный по 90 нм процессу, обладавший 128 Мбит, получил название Альверстоун.