|
|
Компьютеры - Отечественные микросхемы для построения запоминающих устройств23 января 2011
Оглавление: 1. Отечественные микросхемы для построения запоминающих устройств 2. Микросхемы для построения оперативной памяти 3. Микросхемы для построения постоянной памяти
Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований с создаваемому компьютеру, производится выбор типа, вида и конкретной серии микросхем.
Сводные данные микросхем, применяемых в СССР для создания памяти компьютера
Полупроводниковые БИС запоминающих устройств, применяемые в ЭВМ
Тип микросхемы |
Технология изготовления |
Информационный объём, Кбит |
Организация, слов × разрядов |
Время выборки адреса, мс |
Потребляемая мощность, мВт |
Статические ОЗУ
|
К550РУ145 |
ЭСЛ |
0,064 |
0,016 К × 1 |
10 |
825 |
К531РУ11П |
ТТЛШ |
0,064 |
0,016 К × 1 |
40 |
550 |
К155РУ5 |
ТТЛ |
0,256 |
0,256 К × 1 |
90 |
735 |
К176РУ2 |
КМОП |
0,256 |
0,256 К × 1 |
900 |
19 |
К561РУ2А/Б |
КМОП |
0,256 |
0,256 К × 1 |
970/1600 |
2,8/5 |
К132РУ2А/Б |
n-МОП |
1 |
1 К × 1 |
950 |
440 |
К132РУ3А/Б |
n-МОП |
1 |
1 К × 1 |
75/125 |
660 |
К155РУ7 |
ТТЛ |
1 |
1 К × 1 |
45 |
840 |
К537РУ1А/Б/В |
КМОП |
1 |
1 К × 1 |
1,3/2/4 |
0,5 |
КР565РУ2А/Б |
n-МОП |
1 |
1 К × 1 |
450 /850 |
385 |
КМ132РУ8А/Б |
n-МОП |
4 К |
1 К × 4 |
60/100 |
900 |
К541РУ2А |
И2Л |
4 К |
1 К × 4 |
120/90 |
525 |
КР537РУ3А/Б/В |
КМОП |
4 К |
4 К × 1 |
320 |
110 |
К541РУ31…34 |
И2Л |
8 К |
8 К × 1 |
150 |
565 |
КР537РУ8А/Б |
КМОП |
16 К |
2 К × 8 |
220/400 |
160 |
КР132РУ6А/Б |
n-МОП |
16 К |
16 К × 1 |
75/120 |
140/440 |
К541РУ3/А |
И2Л |
16 К |
16 К × 1 |
150/100 |
565 |
Динамические ОЗУ
|
КР565РУ6Б/В/Г/Д |
n-МОП |
16 К |
16 К×1 |
230…460 |
150/140/130/120 |
К565РУ5Б/В/Г/Д |
n-МОП |
64 К |
64 К×1 |
230…460 |
21…32 |
К565РУ7В/Г/Д |
n-МОП |
256 К |
256 К×1 |
340/410/500 |
120…150 |
Масочные ПЗУ
|
КР568РЕ2 |
n-МОП |
64 К |
8 К×8 |
400 |
590 |
К569РЕ1 |
ТТЛ |
64 К |
8 К×8 |
350 |
640 |
КР568РЕ3 |
n-МОП |
64 К |
16 К×4 |
800 |
300 |
Программируемые ПЗУ
|
КР556РТ1Б |
ТТЛШ |
8 К |
2К×4 |
60 |
740 |
КР556РТ16 |
ТТЛШ |
64 К |
8К×8 |
85 |
1000 |
КР556РТ17 |
ТТЛШ |
4 К |
0,512К×8 |
50 |
890 |
КР556РТ18 |
ТТЛШ |
16 К |
2К×8 |
60 |
950 |
Репрограммируемые ПЗУ
|
К573РФ23/24 |
n-МОП |
8К |
2К×4 |
450 |
200/580 |
К573РФ33/34 |
n-МОП |
16 К |
1К×16 |
200/580 |
200/580 |
К573РФ2 |
n-МОП |
16 К |
2К×16 |
450 |
200/580 |
К537РФ5 |
n-МОП |
16 К |
2К×8 |
450 |
135/580 |
К573РФ31/32 |
n-МОП |
32 К |
2К×16 |
450 |
450 |
К537РФ41/42 |
n-МОП |
32 К |
4К×8 |
500 |
700 |
К573РФ43/44 |
n-МОП |
32 К |
8К×4 |
Н/Д |
Н/Д |
К573РФ3 |
n-МОП |
64 К |
4К×16 |
450 |
210/450 |
К573РФ4 |
n-МОП |
64 К |
8К×8 |
500 |
200/700 |
К573РФ6 |
n-МОП |
64 К |
8К×8 |
500 |
265/870 |
Просмотров: 8755
|