Интернет магазин китайских планшетных компьютеров

Компьютеры - Nano-RAM - Сравнение с конкурирующими технологиями

NRAM — одна из множества новых систем памяти, большинство из которых позиционируются в качестве «универсальных», аналогично NRAM — обещается замена всему, начиная с флеш-памяти и заканчивая DRAM и SRAM.

Единственной альтернативной технологией памяти, готовой к коммерческому использованию, является FRAM. В чипах FeRAM добавлено некоторое количество сегнетоэлектрического материала в так называемую «обычную» DRAM-ячейку, состояние поля применительно к материалу кодирует бит без разрушительных последствий для ячейки. FeRAM обладает всеми преимуществами NRAM, хотя и наименее возможный размер ячейки существенно превышает размер ячейки NRAM. FeRAM на данный момент используется в нескольких областях, где ограниченное число циклов записи флеш-памяти представляет существенную проблему. Операции чтения FeRAM по своей сути деструктивны для данных, требуя после чтения восстановительной операции записи.

Среди других предполагаемых кандидатов особо выделяют перспективные технологии MRAM и PRAM. MRAM основана на решетке из магнитных туннельных соединений. Ключом к потенциалу MRAM является способ чтения памяти, использующий туннельный магниторезистивный эффект, позволяя считывать память без разрушающего эффекта и затрачивая достаточно немного энергии. К сожалению, первое поколение MRAM, которое использовало поле, индуцирующее запись , уперлось в предел с точки зрения размера, который превосходил аналогичные показатели у существующих флеш-устройств. Тем не менее, две новых MRAM-технологии в настоящее время находятся в разработке и поддерживают обещания преодолеть ограничение размера, делая MRAM более конкурентоспособной даже по сравнению с флеш-памятью. К этим технологиям относятся Thermal Assisted Switching, разрабатываемая компанией Crocus Technology, и Spin Torque Transfer, над которой работают Crocus, Hynix, IBM, а также несколько других компаний.

Память PRAM основана на технологии, схожей с той, что применяется в перезаписываемых CD и DVD-дисках, используя фазовый переход состояний материала, изменяющего свои магнетические и электрические свойства вместо оптических. Материал для PRAM сам по себе является масштабируемым, но требует значительно больший источник тока.

Благодаря значительным инвестициям в производство флеш-памяти, на данный момент не существует памяти, способной заменить на рынке флеш-память.