Интернет магазин китайских планшетных компьютеров

Компьютеры - Nano-RAM - Преимущества

NRAM обладает плотностью, по крайней мере в теории, сходной с DRAM. DRAM состоит из некоторого числа конденсаторов, представляющие собой по сути две небольших металлических пластины с тонким слоем диэлектрика между ними. NRAM в этом схожа, обладая клеммами и электродами приблизительно такого же размера, что и пластины в DRAM, а нанотрубки между ними существенно меньших размеров, поэтому их размер никак не влияет на общий размер ячейки. Однако, существует минимальный размер, при котором можно создавать DRAM-чипы, ниже которого просто не будет хватать заряда, который ячейка сможет сохранить для чтения. NRAM судя по всему ограничемн лишь современными техническими достижениями в литографии. Это означает, что NRAM может достичь большей плотности по сравнению с DRAM, что подразумевает удешевление производства, если станет возможным контролировать области нанесения углеродных нанотрубок по той же схеме, что и полупроводниковая промышленность контролирует размещение компонентов на кремнии.

Более того, в отличие от DRAM, NRAM не требует энергии для «обновления» данных, и будет удерживать данные даже после отключения питания. Дополнительное питание, требуемое для записи информации, гораздо ниже, чем у DRAM, накапливающей заряд на пластинах. Это означает, что NRAM будет конкурировать с DRAM не только за счет стоимости, но и благодаря меньшему потреблению энергии для запуска, и в итоге будет существенно быстрее. NRAM теоретически может достичь производительсности, сходной с SRAM, которая быстрее DRAM, но обладает значительно меньшей плотностью размещения, из-за чего и стоит гораздо дороже.

В сравнении с другими технологиями NVRAM, NRAM обладает потенциалом, который может обеспечить значительное преимущество. Наиболее распространенным видом NVRAM на сегодняшний день является флеш-память, которая сочетает в себе бистабильную транзисторную цепь, более известную как триггер, с высокопроизводительным изолятором, обернутым вокруг одного из оснований транзистора. После записи информации изолятор удерживает электроны на базовом электроде, тем самым запоминая состояние «1». Однако, для изменения этого состояния изолятор должен быть «перезаряжен» для удаления любого заряда, хранившегося там. Это требует высокого напряжения, что существенно превышает возможности батареи. Флеш-системы для этого должны содержать в себе генератор «подкачки заряда», который будет постепенно накапливать энергию и выдавать ее при высоком напряжении. Этот процесс не только очень медленный, но и при этом повреждает изолятор. По этой причине флеш-память имеет весьма ограниченный жизненный цикл, составляющий примерно от 10,000 до 1,000,000 циклов перезаписи, после чего устройство уже не будет работать эффективно.

NRAM потенциально лишен этих проблем. Процессы чтения и записи малозатратны в плане энергии по сравнению с флеш-памятью, подразумевая, что NRAM будет способствовать более продолжительной жизни батареи в обычных устройствах. Также это может ускорить операции записи, в случае если NRAM заменит как флеш-память, так и DRAM. Современный сотовый телефон зачастую использет флеш-память для хранения телефонных номеров и другой информации, DRAM используется в качестве оперативной памяти для достижения наибольшей производительности, а небольшие фрагменты SRAM используются в процессоре из-за того, что DRAM слишком медленна чтобы ее здесь использовать. NRAM теоретически в состоянии заменить все эти виды памяти, некоторый объем NRAM-памяти, помещенный на ЦПУ, вполне сможет выполнять функции кэша процессора, а другие чипы смогут взять на себя функции DRAM и флеш-памяти.