Интернет магазин китайских планшетных компьютеров

Компьютеры - Память с изменением фазового состояния - Проблемы

Наибольшей проблемой памяти на основе фазового перехода является требование плотности программируемого заряда в активной фазе. Благодаря этому область воздействия становится значительно меньше, чем у управляющего транзистора. Из-за данного различия структуры памяти на основе фазового перехода приходится упаковывать более горячий и склонный к произвольному фазовому переходу материал в литографические размеры. Из-за этого стоимость процесса по цене проигрывает в сравнении с флеш-памятью.

Контакт между горячей областью фазового перехода и соседним диэлектриком - ещё один из нерешенных фундаментальных вопросов. Диэлектрик может допустить утечку заряда при повышении температуры, или может отрываться от материала с фазовым переходом при расширении на различных этапах.

Память с фазовым переходом весьма восприимчива к произвольному фазовому переходу. Это происходит в основном из-за того факта, что фазовый переход - температурно управляемый процесс по сравнению с электронным. Термические условия, допускающие быструю кристаллизацию, не должны быть близки к условиям сохранения устойчивого состояния, например, комнатной температуре. В противном случае, удерживание данных не будет сколько-нибудь продолжительным. При соответствующей энергии активации кристаллизации возможно достичь быстрой кристаллизации путем задания соответствующих условий, в то время как при обычных условиях будет происходит очень медленная кристаллизация.

Вероятно, наибольшей проблемой памяти с изменением фазового состояния является постепенное изменение сопротивления и порогового напряжения с течением времени. Сопротивление аморфного состояния медленно возрастает по степенному закону. Это несколько ограничивает возможность использования многоуровневых ячеек памяти и может подвергать опасности стандартную двухфазовую операцию, в случае если пороговое напряжение превысит предусмотренное значение.