Интернет магазин китайских планшетных компьютеров

Компьютеры - Память с изменением фазового состояния - Хронология

• Сентябрь 1966: Стэнфорд Овшинский получил первый патент, касающийся технологии фазового перехода
• Июнь 1969: Патент под номером 3,448,302, выданный Овшинскому, ознаменовал появление первой устойчиво функционирующей памяти на основе фазового перехода
• Сентябрь 1970: Гордон Мур публикует свои исследования в журнале Electronics
• Июнь 1999: Ovonyx присоединяется к рискованному мероприятию по созданию коммерческой PRAM-технологии
• Ноябрь 1999: Lockheed Martin начинает работу совместно с Ovonyx над PRAM для применения в космической отрасли
• Февраль 2000: Intel вкладывает средства в Ovonyx, лицензирует технологию
• Декабрь 2000: ST Microelectronics лицензирует PRAM-технологию у Ovonyx
• Март 2002: Macronix получает патент на бестранзисторную PRAM
• Июль 2003: Samsung начинает работы над PRAM-технологией
• с 2003 по 2005: Патенты, связанные с PRAM, получают Toshiba, Hitachi, Macronix, Renesas, Elpida, Sony, Matsushita, Mitsubishi, Infineon и другие компании
• Август 2004: Nanochip лицензирует PRAM-технологию у Ovonyx для использования в устройствах хранения на базе МЭМС
• Август 2004: Samsung демонстрирует работающий 64 Мбитный PRAM-массив
• Февраль 2005: Elpida лицензирует PRAM-технологию у Ovonyx
• Сентябрь 2005: Samsung демонстрирует работающий 256 Мбитный PRAM-массив, обращая внимание на программируемый заряд в 400µA
• Октябрь 2005: Intel увеличивает инвестиции в Ovonyx
• Декабрь 2005; Hitachi и Renesas демонстрируют 1.5-вольтную PRAM-память с программируемый зарядом в 100µA
• Декабрь 2005: Samsung лицензирует PRAM-технологию у Ovonyx
• Июль 2006: BAE Systems начинает продажи первого коммерческого PRAM-чипа, радиационно упрочненной C-RAM 512Kx8
• Сентябрь 2006: Samsung анонсирует 512 Мбитное PRAM-устройство
• Октябрь 2006: Intel и STMicroelectronics демонстрируют 128 Мбитный PRAM-чип
• Декабрь 2006: IBM Research Labs демонстрирует прототип 3, выполненный по технологии 20 нанометров
• Январь 2007: Qimonda лицензирует PRAM-технологию у Ovonyx
• Апрель 2007: Директор по технологиям Intel Джастин Рэттнер уполномочен провести первую публичную демонстрацию разработок компании в области PRAM-технологии
• Октябрь 2007: Hynix начинает заниматься PRAM путем лицензирования технологии у Ovonyx
• Февраль 2008: Intel и STMicroelectronics анонсируют четырёхпозиционную MLC PRAM и начинает поставки образцов заказчикам.
• Декабрь 2008: Numonyx анонсирует массовое производство 128 Мбитных PCM-устройств для определенных заказчиков.
• Июнь 2009: RAM на основе фазового перехода производства Samsung выходит в массовое производство, стартовавшее в Июне
• Сентябрь 2009: Samsung анонсировало начало массового производства 512 Мбитных PRAM-устройств
• Октябрь 2009: Intel и Numonyx объявляют о нахождении ими способа размещения массивов PCM памяти в несколько слоёв на одной подложке
• Апрель 2010: Numonyx выпустила серию устройств Omneo, произведенных по 90-нм технологии.
• Апрель 2010: Samsung выпустила устройство объёмом 512 мегабит, изготовленное по 65-нм процессу