Интернет магазин китайских планшетных компьютеров



Компьютеры - Отечественные микросхемы для построения запоминающих устройств

23 января 2011


Оглавление:
1. Отечественные микросхемы для построения запоминающих устройств
2. Микросхемы для построения оперативной памяти
3. Микросхемы для построения постоянной памяти



Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований с создаваемому компьютеру, производится выбор типа, вида и конкретной серии микросхем.


Сводные данные микросхем, применяемых в СССР для создания памяти компьютера

Полупроводниковые БИС запоминающих устройств, применяемые в ЭВМ
Тип микросхемы Технология изготовления Информационный объём, Кбит Организация, слов × разрядов Время выборки адреса, мс Потребляемая мощность, мВт
Статические ОЗУ
К550РУ145 ЭСЛ 0,064 0,016 К × 1 10 825
К531РУ11П ТТЛШ 0,064 0,016 К × 1 40 550
К155РУ5 ТТЛ 0,256 0,256 К × 1 90 735
К176РУ2 КМОП 0,256 0,256 К × 1 900 19
К561РУ2А/Б КМОП 0,256 0,256 К × 1 970/1600 2,8/5
К132РУ2А/Б n-МОП 1 1 К × 1 950 440
К132РУ3А/Б n-МОП 1 1 К × 1 75/125 660
К155РУ7 ТТЛ 1 1 К × 1 45 840
К537РУ1А/Б/В КМОП 1 1 К × 1 1,3/2/4 0,5
КР565РУ2А/Б n-МОП 1 1 К × 1 450 /850 385
КМ132РУ8А/Б n-МОП 4 К 1 К × 4 60/100 900
К541РУ2А И2Л 4 К 1 К × 4 120/90 525
КР537РУ3А/Б/В КМОП 4 К 4 К × 1 320 110
К541РУ31…34 И2Л 8 К 8 К × 1 150 565
КР537РУ8А/Б КМОП 16 К 2 К × 8 220/400 160
КР132РУ6А/Б n-МОП 16 К 16 К × 1 75/120 140/440
К541РУ3/А И2Л 16 К 16 К × 1 150/100 565
Динамические ОЗУ
КР565РУ6Б/В/Г/Д n-МОП 16 К 16 К×1 230…460 150/140/130/120
К565РУ5Б/В/Г/Д n-МОП 64 К 64 К×1 230…460 21…32
К565РУ7В/Г/Д n-МОП 256 К 256 К×1 340/410/500 120…150
Масочные ПЗУ
КР568РЕ2 n-МОП 64 К 8 К×8 400 590
К569РЕ1 ТТЛ 64 К 8 К×8 350 640
КР568РЕ3 n-МОП 64 К 16 К×4 800 300
Программируемые ПЗУ
КР556РТ1Б ТТЛШ 8 К 2К×4 60 740
КР556РТ16 ТТЛШ 64 К 8К×8 85 1000
КР556РТ17 ТТЛШ 4 К 0,512К×8 50 890
КР556РТ18 ТТЛШ 16 К 2К×8 60 950
Репрограммируемые ПЗУ
К573РФ23/24 n-МОП 2К×4 450 200/580
К573РФ33/34 n-МОП 16 К 1К×16 200/580 200/580
К573РФ2 n-МОП 16 К 2К×16 450 200/580
К537РФ5 n-МОП 16 К 2К×8 450 135/580
К573РФ31/32 n-МОП 32 К 2К×16 450 450
К537РФ41/42 n-МОП 32 К 4К×8 500 700
К573РФ43/44 n-МОП 32 К 8К×4 Н/Д Н/Д
К573РФ3 n-МОП 64 К 4К×16 450 210/450
К573РФ4 n-МОП 64 К 8К×8 500 200/700
К573РФ6 n-МОП 64 К 8К×8 500 265/870


Просмотров: 5253


<<< Основная область памяти
Память на магнитных сердечниках >>>