Интернет магазин китайских планшетных компьютеров



Компьютеры - Nano-RAM

16 июня 2011


Оглавление:
1. Nano-RAM
2. Преимущества
3. Сравнение с конкурирующими технологиями



это проприетарная технология компьютерной памяти от компании Nantero. По сути это тип энергонезависимой памяти, основывающийся на механическом позиционировании углеродных нанотрубок, размещенных на чипоообразной подложке. В теории небольшой размер нанотрубок позволит достичь весьма высокой плотности размещения памяти. Nantero зачастую упоминает ее сокращенно как NRAM.

Технология

Технология Nantero основывается на весьма известном эффекте углеродных нанотрубок, когда перекрещивающиеся нанотрубки на плоской поверхности могут или касаться друг друга или разделяться в вертикальном направлении за счет притяжения Ван-дер-Ваальса. В технологии Nantero каждая NRAM-«ячейка» состоит из некоторого количества нанотрубок, нанесенных на изолирующие «участки» на металлических электродах. Остальные нанотрубки располагаются над электродом «в воздухе», на высоте примерно 13 нм, растягиваясь между двумя участками. Небольшое пятно золота помещается на вершину нанотрубок одного из участков, обеспечивая электрическое соединение, то есть клемму. Второй электрод находится под поверхностью на расстоянии примерно 100 нм.

Обычно к нанотрубкам, нависающим над электродом, прикладывается небольшое напряжение между клеммой и выше расположенным электродом, в результате чего прохождение тока прекращается. Это представляет состояние «0». Однако, если применить большее напряжение между двумя электродами, то нанотрубки будут притягиваться к верхнему электроду, пока не коснутся его. В этот момент небольшое напряжение, приложенное между клеммой и верхним электродом позволит току свободно протекать, означая состояние «1». Состояние может быть изменено путем изменения полярности заряда, прикладываемого к двум электродам.

Что позволяет использовать данный механизм как память, так это тот факт, что в обоих позициях нанотрубки стабильны. В отключенном состоянии механическая деформация трубок низкая, поэтому они естественным образом сохраняют эту позицию, тем самым «запоминая» «0». Когда трубки притянуты к контакту при приложении к верхнему электроду нового заряда, в игру вступают крошечные силы Ван-дер-Ваальса, и их оказывается вполне достаточно, чтобы заставляют трубки испытать механическую деформацию. Приняв данную позицию, трубки продолжат сохранять ее, тем самым «запоминая» «1». Эти позиции довольно устойчивы к внешнему воздействию, например радиации, которая может стриать или повреждать данные в обычной DRAM-памяти.

Чипы NRAM создаются путем помещения массы нанотрубок на подготовленный чип, содержащий ряды прямоугольных электродов, над которыми немного возвышаются изоляционные слои, располагающиеся между ними. Трубки, попавшие в «неправильные» места, затем удаляются, а золотые клеммы помещаются наверх. Могут применяться любые методы для выбора единственной ячейки для записи, например, второй набор электродов может работать в противоположном направлении, формируя сетку, или они могут быть выбраны приложением напряжения к клеммам, означая что только эти выбранные ячейки получат полное напряжение, достаточно высокое для изменения данных.

На данный момент, метод удаления ненужных нанотрубок делает систему довольно непрактичной. Точность выполнения и размер машинной эпитаксии значительно «больше», чем размер ячеек создаваемых другими способами. Существующие экспериментальные ячейки обладают очень низкой плотностью, сравнимой с существующими системами, и для придания системе практической ценности должны быть представлены новые способы производства.



Просмотров: 1750


<<< Intel Turbo Memory
PROM >>>