Интернет магазин китайских планшетных компьютеров

Компьютеры - Магниторезистивная оперативная память - История

• 1955 — изобретение памяти на магнитных сердечниках, использующей сходный с MRAM, способ чтения и записи информации.
• 1989 — учёные IBM сделали ряд ключевых открытий о «гигантском магниторезистивном эффекте» в тонкоплёночных структурах.
• 1995 — Motorola начинает разработку MRAM.
• 2000 — IBM и Infeneon установили общую программу развития MRAM.
• 2002 — NVE объявляет о технологическом обмене с Cypress Semiconductor.
• 2003 — 128 кбит чип MRAM был представлен, изготовленный по 0,18 мкм технологии.

2004

• Июнь — Infineon анонсирует 16-Мбит опытный образец, основанный на 0,18 мкм технологии.
• Сентябрь — MRAM становится стандартным продуктом в Freescale, которая начала испытывать MRAM.
• Октябрь — Тайваньские разработчики MRAM печатают 1 Мбит элементы на TSMC.
• Октябрь — Micron бросает MRAM, обдумывает другие памяти.
• Декабрь — TSMC, NEC, Toshiba описывают новые ячейки MRAM.
• Декабрь — Renesas Technology разрабатывают высокоскоростную, высоконадёжную технологию MRAM.

2005

• Январь — Cypress испытывает MRAM, использует NVE IP.
• Март — Cypress продаёт дочернюю компанию MRAM.
• Июнь — Honeywell сообщает таблицу данных для 1-Мбит радиационно-устойчивой MRAM, используя 0,15 микрометров технологию.
• Август — рекорд MRAM: Ячейка памяти работает на 2 ГГц.
• Ноябрь — Renesas Technology и Grandis сотрудничают в Разработке 65 нм MRAM, применяя вращательно-крутящее перемещение.
• Декабрь — Sony представляет первую лабораторию производящую вращательно-крутящее-перемещение MRAM, которая использует вращательно-поляризованный ток через туннельный магниторезистивный слой, чтобы записать данные. Этот метод более энергоэффективен и более расширяем, чем обыкновенная MRAM. C дальнейшими преимуществами в материалах, этот процесс должен позволить плотности, большие, чем те, что возможны в DRAM.
• Декабрь — Freescale Semiconductor Inc. анонсирует MRAM, в которой вместо оксида алюминия используется оксид магния, позволяющий делать более тонкий изолирующий туннельный барьер и улучшенное битовое сопротивление в течение цикла записи, таким образом, уменьшая требуемый ток записи.

Текущий статус

2006

• Февраль — Toshiba и NEC анонсировали 16 Мбит чип MRAM с новой «энерго-разветвляющейся» конструкцией. Они добились частоты перемещения в 200 МБ/с, с временем цикла 34 нс — лучшая производительность любого чипа MRAM. Они также гордятся наименьшим физическим размером в своём классе — 78,5 квадратных миллиметров — и низким требованием энергии 1,8 вольт.
• Июль — 10 Июля, Austin Texas — Freescale Semiconductor выводит на рынок 4-Mbit чипы MRAM, по цене приблизительно $25.00 за микросхему.

2007

• Ноябрь — компания NEC разработала самую быструю в мире магниторезистивную SRAM-совместимую память, с рабочей частотой 250 МГц.

2008

• В японском искусственном спутнике SpriteSat, была применена магниторезистивная память производства Freescale Semiconductor для замены компонентов SRAM и FLASH.
• Март — концерн Siemens выбрал в качестве энергонезависимой памяти для новых промышленных панелей оператора, микросхемы MRAM памяти емкостью 4 Mb, производства Everspin technologies.
• Июнь — Samsung и Hynix становятся партнерами по разработке STT-MRAM.
• Июнь — Freescale Semiconductor выделяет весь свой бизнес, связанный с магниторезистивной памятью, в отдельную компанию Everspin.

2009

• Февраль — компании NEC и NEC Electronics заявили об успешной демонстрации работающей памяти магниторезисторного типа емкостью 32 Мбит.

2010

• Апрель — компания Everspin представила первые в мире коммерчески доступные микросхемы MRAM ёмкостью 16 Mb.

2011

• Август — Samsung заявила о приобретении Grandis — поставщика запоминающих устройств на основе памяти STT-RAM.