Интернет магазин китайских планшетных компьютеров

Компьютеры - FRAM - Общая оценка

FeRAM продолжает занимать чрезвычайно малую долю общего рынка полупроводников. В 2005 году продажи полупроводников по всему миру составили US $235 миллиардов, причем рынок флеш-памяти оценивается в US $18.6 миллиарда. В 2005 году годовые продажи Ramtron, вероятно, крупнейшего поставщика FeRAM-памяти, составили US $32.7 миллиона. Флеш-память на данный момент является доминирующей технологией энергонезависимой памяти, и, по всей видимости, такая ситуация будет сохраняться по крайней мере до конца десятилетия. Существенно более значительные продажи флеш-памяти, сравнимой с альтернативными чипами NVRAM, обеспечивают значительно большие исследования и разработки. Флеш-память производится с использованием полупроводников Samsung, произведенных с соблюдением норм 30 нм, в то время как чипы FeRAM производятся по стандартам 350 нм на фабриках Fujitsu и 130 нм на фабриках Texas Instruments. Ячейки флеш-памяти могут хранить несколько битов на ячейку, причем количество бит на флеш-ячейку планируется увеличить до 4 или даже 8, благодаря новым технологиям в области создания флеш-ячеек. Диапазон плотности бит флеш-памяти как следствие значительно больше, чем у FeRAM, и таким образом стоимость бита флеш-памяти ниже, чем у FeRAM.

Плотность FeRAM может быть поднята за счет улучшения технологии процесса производства FeRAM и структуры ячеек, как например, благодаря разработке структур вертикальных конденсаторов для уменьшения области воздействия на ячейку. Однако, уменьшение размеров ячейки может привести к тому, что заряд, хранящий данные, станет слишком слабым для обнаружения. В 2005 году Ramtron объявила о значительных продажах продуктов FeRAM в различных секторах рынка, включая область электронных измерений, транспортного оборудования, оборудования для бизнеса и офиса, измерительных приборов, медицинского оборудования, промышленных микроконтроллеров, а также RFID-чипов. Другие существующие чипы NVRAM, как например, MRAM, могут занять свое место в схожих нишах рынка, конкурируя с FeRAM.

Теоретически, существует возможность внедрять ячейки FeRAM, используя два дополнительных масочных шага при производстве обычных КМОП-полупроводников. Флеш-память обычно требует девять масок. Это делает возможным, например, интеграцию FeRAM в микроконтроллеры, где более простой процесс снизит стоимость. Однако, материалы, используемые при производстве чипов FeRAM не являются широко используемыми в производстве КМОП-цепей. Как и PZT-сегнетоэлектрический слой, так и благородные материалы, используемые при производстве электродов, вызывают в КМОП процесс окисления и взаимной порчи.