Интернет магазин китайских планшетных компьютеров



Компьютеры - FRAM

16 июня 2011


Оглавление:
1. FRAM
2. Описание
3. Сравнение с другими системами
4. Общая оценка
5. Дальнейшее развитие



Сегнетоэлектрическая оперативная память — оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. FeRAM — одна из растущего числа альтернативных технологий энергонезависимой памяти, предлагающая ту же самую функциональность, что и флеш-память. Среди преимуществ FeRAM перед флэш-памятью называют низкое энергопотребление, более быструю запись информации и существенно увеличенное максимальное число циклов перезаписи. К недостаткам FeRAM относят: гораздо более низкую плотность размещения информации, чем у флеш-устройств, ограниченную емкость накопителей и более высокую стоимость.

Разработка FeRAM началась в конце 1980-х. В 1991 году проводилась работа в Лаборатории Реактивного Движения NASA по улучшению методов чтения, включая новый метод неразрушающего чтения при помощи импульсов ультрафиолетового излучения. Значительная часть нынешней технологии FeRAM была разработана fabless-компанией Ramtron International, специализирующейся в области полупроводниковой промышленности. Одним из главных лицензиатов стала Fujitsu, обладающая по некоторым оценкам крупнейшей базой по производству полупроводников, в том числе производственной линии, подходящей для выпуска FeRAM. С 1999 года они использовали эту линию для выпуска отдельных чипов FeRAM наряду со специализированными чипами со встроенной памятью FeRAM. Это прекрасно вписывалось в планы Fujitsu по производству устройств, разработанных компанией Ramtron. Начиная с 2001 года компания Texas Instruments начинает сотрудничество с Ramtron в области разработки тестовых чипов FeRAM по обновленному процессу в 130 нм. Осенью 2005 года Ramtron объявила, что им удалось значительно улучшить прототипы 8 мегабитных FeRAM-чипов, произведенных с использованием мощностей Texas Instruments. Fujitsu и Seiko-Epson в 2005 году начали сотрудничество в области разработки 180 нм FeRAM-процесса. Об исследовательских проектах в области FeRAM заявили Samsung, Matsushita, Oki, Toshiba, Infineon, Hynix, Symetrix, Кембриджский университет, Торонтский университет и Interuniversity Microelectronics Centre.



Просмотров: 2418


<<< EPROM
Intel Turbo Memory >>>